买卖IC网 >> 产品目录43225 >> ZVNL110GTA MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223 datasheet 分离式半导体产品
型号:

ZVNL110GTA

库存数量:1,000
制造商:Diodes Inc
描述:MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223
RoHS:无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
ZVNL110GTA PDF下载
其它图纸 SOT-223
SOT-223 Footprint
标准包装 1,000
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 600mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 3 欧姆 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 1.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs -
输入电容 (Ciss) @ Vds 75pF @ 25V
功率 - 最大 2W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装 SOT-223
包装 带卷 (TR)
产品目录页面 1474 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 ZVNL110GTR
相关资料
供应商
公司名
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北京芯时代电子科技发展有限公司 13610068393 栾文超
北京耐芯威科技有限公司 010-62104931 刘先生
  • ZVNL110GTA 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1,000 0.486 486
    2,000 0.4536 907.2
    5,000 0.43092 2154.6
    10,000 0.41472 4147.2
    25,000 0.40176 10044
    50,000 0.3888 19440